본 연구는 박막의 결정성 (Ga,Mn)As 페로자성 필름에서 막의 면을 벗어난 구조적 반전 비대칭성(SIA)이 전류 유도 스핀-궤도 장(spin–orbit fields, SOFs)에 미치는 영향을 조사하였다. 이를 위해, 필름의 성장 방향을 따라 망간 조성의 비율을 점진적으로 증가 또는 감소시키며 (Ga,Mn)As 필름을 성장시켜, 필름에서의 면을 벗어난 SIA를 체계적으로 제어하였다. 전류 유도 SOF를 탐침하도록 설계된 홀(Hall) 측정법을 사용하여, 벌크 반전 비대칭성으로부터 기인하는 드레슬하우스형(SO)F와, 필름의 SIA에서 비롯되는 라슈바형 SOF를 모두 규명하였다. 드레슬하우스형 SOF의 부호는 면을 벗어난 비대칭성의 방향(즉, 필름에서 성장 방향을 따른 Mn 조성의 증가 또는 감소 순서 변화)에 관계없이 변하지 않는 반면, 라슈바형 SOF는 성장 방향을 따른 Mn 구배에 따라 서로 반대 방향성을 나타냈다. 이러한 결과는 면을 벗어난 SIA에 의해 구동되는 라슈바형 SOF 변조에 대한 직접적인 실험적 증거를 제공하며, 페로자성 반도체 계에서 스핀-궤도 토크 현상을 공학적으로 구현하기 위한 견고한 기반을 확립한다.

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