본 논문에서는 전기 전류 유도 스핀-궤도 토크(SOT)를 이용한 강자성 반도체(FMS)에서의 자화 조작에 관한 우리의 연구 성과를 검토한다. 본 고찰은 분자빔 에피택시로 성장시킨 (Ga,Mn)As 아연블렌드 계열의 FMS 박막에 초점을 둔다. SOT를 달성하는 데 필요한 전류의 스핀 분극을 얻기 위해 사용되는 공정들을 설명하고, 시편 준비와 자화 상태를 측정하기 위한 방법을 간략히 논의한다. 이어서 구체적인 예를 통해, out-of-plane 또는 in-plane의 자화 용이축(easy axis)을 갖는 FMS 박막에서 자화를 스위칭하기 위한 실험들을 논의한다. 또한 SOT 조작의 효율을 단일층 FMS 구조에서의 결과와, SOT에 의한 자화 스위칭에 흔히 사용되는 중금속/강자성 이층(바이레이어)에서 관찰된 효율과 비교한다. 그 다음으로, 읽기-쓰기 장치와 같은 FMS에서 SOT에 의한 자화 조작으로 가능해진 프로토타입 소자의 예를 제시한다. 마지막으로, 우리의 실험 결과를 바탕으로 SOT 스위칭에 기반한 실용적 자기 메모리 및 관련 응용을 달성하기 위해 탐색되어야 할 향후 연구 방향을 논의한다.

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