공공(공공) 및 적층 결함과 같은 결정학적 결함은 원자 수준에서 전자 밴드 구조를 설계하고, 결정 내에 0차 및 2차원 양자 구조를 형성한다. 이러한 점 결함과 평면 결함의 조합은 새로운 유형의 결함 복합계(defect complex system)를 생성할 수 있다. 본 연구에서는 적층 결함 인근에 점 결함을 수용하는 탄화규소(SiC) 나노와이어를 조사하였다. 나노와이어에서 점-평면 결함 복합체(point-planar defect complexes)는 높은 밝기의 단일 광자(high-brightness single photons) (>360 kcounts/s), 빠른 재결합 시간(<1 ns), 높은 드베-월러 인자(Debye-Waller factor) (>50%)를 보이는 우수한 광학적 특성을 나타낸다. 결합된 점-평면 결함의 이러한 뚜렷한 광학적 특성은 다중 큐비트 간의 고효율 양자 상호작용을 달성하는 데 필수적인, 비정상적으로 강한 제로-포논 전이(zero-phonon transition)를 유도한다. 본 연구 결과는 다양한 물질에서의 다른 결함에도 확장될 수 있으며, 결함 큐비트 결함 쪽을 설계하는 새로운 관점을 제공한다.

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