우리는 실리콘 카바이드 나노와이어에서 점 결함-적층 장애 복합체(point defect-stacking fault complexes)로 이루어진 새로운 유형의 양자 발광체를 조사한다. 이들은 실리콘 카바이드에서 기록적으로 높은 밝기의 단일광자 방출을 보이며, 심지어 상온에서도 강한 제로포논 전이(zero-phonon transition)를 나타낸다.

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