기존의 스퍼터링 방법은 영구 자석을 사용하는 단일 음극을 이용한다. 표적 직면 스퍼터링(Facing targets sputtering, FTS) 방법은 두 개의 음극으로 구성된다. 독특한 구조로 인해 FTS는 저온 및 저 플라즈마 손상 조건에서 고품질 박막을 제조할 수 있다. 박막 스퍼터링 공정 동안 방출된 플라즈마의 밀도와 가둠(confinement)은 음극에 배치된 영구 자석의 배열에 의해 좌우된다. 본 연구에서는 FTS 시스템에서 두 가지 유형의 영구 자석 배치를 설계하고, 설계된 영구 자석을 FTS 시스템의 두 음극에 삽입하였다. 시스템을 서로 다른 영구 자석 조건에서 가동하고, 방전 전압과 증착 직후(as-grown) 박막의 특성을 기록하였다. 설계된 FTS에서는, 기존의 마그네트론 스퍼터링 방법과 비교하여 스퍼터링 공정이 완료되었음에도 불구하고 기판 온도가 80 °C 미만의 값으로 증가하여 상대적으로 낮았다.

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