신재철 교수 연구실
프로젝트
정부 과제
11
1
주관|
2020년 2월-2025년 2월
|100,000,000원화학기상증착장치를 이용한 차세대 전자소자용 저차원 나노구조소재 합성 원천기술 개발
가. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용한 III-V 나노와이어 및 이차원 소재 (TMDs) 대면적 직접증착 원천기술 개발
나. TCAD 시뮬레이션을 통한 저차원 구조 반도체 전자소자의 밴드갭 에너지 계산 및 특성분석 기술 개발
다. 저차원 나노구조(1-D-3D, 2D-2D, 2D-3D)소재의 전기적 특성 분석기술 개발 및 이를 이용한 고성능 field-effect transistor (FET) 제작공정 기술 개발
화학기상증착장치
전계효과 트렌지스터
나노와이어
이차원소재
화합물반도체
2
주관|
2020년 2월-2025년 2월
|100,000,000원화학기상증착장치를 이용한 차세대 전자소자용 저차원 나노구조소재 합성 원천기술 개발
- Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용한 III-V 나노와이어 및 이차원 소재 (TMDs) 대면적 직접증착 원천기술 개발
- TCAD 시뮬레이션을 통한 저차원 구조 반도체 전자소자의 밴드갭 에너지 계산 및 특성분석 기술 개발
- 저차원 나노구조(1-D-3D, 2D-2D, 2D-3D)소재의 전기적 특성 분석기술 개발 및 이를 이용한 고성능 field-effect transistor (FET) 제작공정 기술 개발
화학기상증착장치
전계효과 트렌지스터
나노와이어
이차원소재
화합물반도체
3
주관|
2020년 2월-2025년 2월
|100,000,000원화학기상증착장치를 이용한 차세대 전자소자용 저차원 나노구조소재 합성 원천기술 개발
가. Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)을 이용한 III-V 나노와이어 및 이차원 소재 (TMDs) 대면적 직접증착 원천기술 개발
나. TCAD 시뮬레이션을 통한 저차원 구조 반도체 전자소자의 밴드갭 에너지 계산 및 특성분석 기술 개발
다. 저차원 나노구조(1-D-3D, 2D-2D, 2D-3D)소재의 전기적 특성 분석기술 개발 및 이를 이용한 고성능 field-effect transistor (FET) 제작공정 기술 개발
화학기상증착장치
전계효과 트렌지스터
나노와이어
이차원소재
화합물반도체
4
주관|
2019년 6월-2023년 12월
|425,000,000원초연결 미래소자용 대구경 III-V 기반 광소자용 고품위 에피소재 국산화 개발 및 시제품 제작 지원
? 1단계(2019년 6월 ? 2021년 12월)
- APD & LD 용 대구경(3인치이상) In(Al,Ga)As on InP 에피구조 설계 및 에피소재 개발
- APD & LD 소자설계, 소자제작 및 기본 공정 라이브러리 확보
? 2단계(2022년 1월 ? 2023년 12월)
- APD & LD 용 대구경(3인치이상) InGaAs on InP 에피구조 설계 및 에피소재 특성 최적화
- APD & LD 소자성능향상 기술개발 및 최적화
화학기상증착장치
3-5족 화합물
에피택셜 성장
에벌란시 포토 다이오드
레이저다이오드
5
주관|
2019년 6월-2023년 12월
|484,500,000원초연결 미래소자용 대구경 III-V 기반 광소자용 고품위 에피소재 국산화 개발 및 시제품 제작 지원
? 1단계(2019년 6월 ? 2021년 12월)
- APD & LD 용 대구경(3인치이상) In(Al,Ga)As on InP 에피구조 설계 및 에피소재 개발
- APD & LD 소자설계, 소자제작 및 기본 공정 라이브러리 확보
? 2단계(2022년 1월 ? 2023년 12월)
- APD & LD 용 대구경(3인치이상) InGaAs on InP 에피구조 설계 및 에피소재 특성 최적화
- APD & LD 소자성능향상 기술개발 및 최적화
화학기상증착장치
3-5족 화합물
에피택셜 성장
에벌란시 포토 다이오드
레이저다이오드
프로젝트
- 2025년도 10월 기준으로 최신 업데이트된 정보입니다.
- 출처: NTIS를 기반으로 제공되었습니다.