MIS and Electrode Device Processing Using High-k Thin Films and 2D Organic Insulators
연구 내용
고유전 비정질 불소화 탄소 박막과 TiN 전극 박막을 바탕으로 MIS/커패시터 소자를 설계하고, 2D 유기절연층 적용성을 검증하는 소자 연구
본 연구는 반도체 소자에서 누설을 낮추고 계면 신뢰성을 확보하기 위한 박막 재료와 구조 설계를 다룹니다. 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 게이트 유전층으로 적용해 절연강도와 누설 특성을 개선하는 특허 기반 기술을 보유하고 있으며, DC 스퍼터링 조건에 따른 TiN 박막의 표면 거칠기와 저항 특성을 최적화해 MIM 커패시터 전극으로 활용합니다. 또한 광전기화학 MIS 소자에서는 금속-유기 하이브리드 2D 소재와 2D 유기절연층을 결합해 장기 안정성 확보를 목표로 연구를 수행합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
2편
관련 특허
3건
관련 프로젝트
1건
연구 흐름
초기에는 DC 스퍼터링 기반 TiN 박막의 표면 형태와 전기적 특성을 제어해 MIM 전극 적용성을 확보하는 연구를 진행했습니다. 같은 흐름에서 고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 게이트 유전층으로 활용하는 소자 구성을 구체화했습니다. 이후 2021년부터는 MIS 구조를 갖는 광전기화학 소자에 금속-유기 하이브리드 2D 소재와 2D 유기절연층을 적용하는 과제를 수행하며 안정성 중심으로 통합 설계를 발전시켰습니다. 2025년에는 van der Waals passivation layer를 이용한 뉴로모픽 소자 구동 특성까지 확장했습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Controlled Surface Morphology and Electrical Properties of Sputtered Titanium Nitride Thin Film for Metal–Insulator–Metal Structures
Enhanced Carrier Dynamics and Excitation of Optically Stimulated Artificial Synapse Using van der Waals Passivation Layers
관련 특허
구분
제목
고유전 비정질 불소화 탄소 박막 게이트 유전층을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법
고유전 비정질 불소화 탄소 박막을 이용한 커패시터, 그 제조방법 및 이를 이용한 반도체
고유전 비정질 불소화 탄소 초박막층을 포함하는 반도체 구조물과 반도체 소자 및 그 제조방법
관련 프로젝트
구분
제목
고효율 장기안정성 광전기화학 MIS 소자용 나노금속-유기 하이브리드 2D 신소재 개발