저자들은 논문 번호 2408387에서 Jin Hyuck Heo, Fei Zhang 및 공저자들이, CsPbI3 위의 표면 캡핑 층으로서 우수한 격자 정합성을 갖는 무기 0D Cs4PbBr6를 제시한다. 이 전략은 전하 추출을 효과적으로 향상시키고 비방사성 재결합을 억제하며, 소자의 성능(0.12 cm2에서 21.03 %, 25 cm2에서 18.99 %, 64 cm2에서 17.39 %)과 안정성을 유의하게 개선한다.
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