신축성 전자소자에서 은 나노와이어(Ag NW)의 광범위한 사용은 대량 생산 가능한 합성의 확립이 어렵다는 점에 의해 저해되고 있으며, 특히 지름 균일성에 대한 제어가 미흡하고, 은 나노입자 부산물의 생성이 발생하며, 재현성이 제한적이라는 문제가 있다. 이러한 문제는 Ag NW 기반 소자의 구조적 일관성과 전기적 성능을 손상시킨다. 본 연구에서는 온도 램핑(온도 상승)으로 조절된 준-열주입(semihot injection) 전략을 보고하며, 이를 통해 지름 분포가 좁고 종횡비(aspect ratio)가 높은 Ag NW의 제어된 합성을 가능하게 한다. 전구체 주입 온도에 대한 체계적 조절을 통해 Ag+ 환원, 은 할로겐화물(silver halide) 형성, 다중 쌍정(multiply twinned) 입자 핵생성 간의 경쟁적 동역학을 규명하였다. 중간 수준의 램핑 속도(2.0 °C/min)는 과포화(supersaturation) 수준을 최적화하여 원치 않는 핵생성을 억제하고, 평균 지름이 ∼28 nm인 이방성 와이어 성장을 촉진한다. 합성된 Ag NW의 기능적 성능을 입증하기 위해, PDMS-SEBS 매트릭스에 와이어를 매립하여 신축성 스트레인 센서를 제작하였다. 해당 센서는 게이지 팩터(gauge factor) 369.6의 높은 값을 달성하였고, 100%까지의 우수한 신축성을 보였으며, 5,000 사이클 동안 안정적인 동작을 유지하여 합성된 Ag NW의 고품질을 검증한다.

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