Passivation-contact materials and process optimization for silicon solar cells
연구 내용
스핀-온 도핑 기반 보론 도핑 p+ 폴리실리콘 접촉과 부분 스토이키오메트리 MoOx 정공 선택 접촉을 설계하고, 열처리·텍스처링·겟터링 공정 변수를 최적화하여 재결합 손실을 낮추는 연구입니다.
재결합 손실을 낮추기 위해 실리콘 태양전지의 접촉 영역에서 패시베이션과 선택성을 동시에 고려한 소재·공정 연구를 수행합니다. 스핀-온 도핑으로 형성한 보론 도핑 p+ 폴리실리콘에서 열처리 조건과 도핑/인디퓨전 정도가 Auger 재결합 및 전계 효과에 미치는 영향을 분석하고, etch back 및 확산 배리어 적용으로 패시베이션 품질을 향상시킵니다. 또한 열 증착 기반의 부분 스토이키오메트리 MoOx 정공 선택 접촉을 XPS/UPS로 결합 상태와 work function 관점에서 평가하며, UV/가시 영역에서의 EQE 저하 원인을 공정적으로 접근합니다. 더불어 전류 주입을 통한 저온화와 saw damage gettering/습식 텍스처링 공정으로 캐리어 수명을 끌어올리는 방향으로 확장합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
4편
관련 특허
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관련 프로젝트
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연구 흐름
초기에는 스핀-온 도핑을 활용한 보론 도핑 p+ 폴리실리콘 패시베이팅 컨택트 구조에서 annealing 조건, SOD 농도, 막 두께에 따른 인디퓨전과 도핑 농도 변화가 패시베이션에 미치는 영향을 중심으로 연구를 수행했습니다. 이후 2023년에는 부분 스토이키오메트리 MoOx 정공 선택 접촉으로 선택성과 패시베이션을 동시에 만족시키기 위해 Mo–O 결합 구성과 work function을 분석했습니다. 동시에 저온 공정화 전략과 텍스처링·겟터링 기반의 표면 손상 완화 공정을 적용하여 p-PERC에서 캐리어 수명과 성능을 개선하는 궤적을 형성했습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Boron‐doped polysilicon using spin‐on doping for high‐efficiency both‐side passivating contact silicon solar cells
Investigation of sub-stoichiometric MoOx hole-selective contacts for rear junction passivating contact silicon solar cells
Lowering firing temperature of a p-type passivated emitter rear contact Si solar cell via current injection
A Grain Orientation‐Independent Single‐Step Saw Damage Gettering/Wet texturing Process for Efficient Silicon Solar Cells