스퍼터링 기반 페로브스카이트 박막 공정 및 계면·결함 제어

Sputtering-based perovskite thin-film processing and interface/defect control

연구 내용

RF 마그네트론 스퍼터링으로 PbI2 전구체를 적층하고, 이오디네이션·열처리·용매 후처리로 조성·결정성과 표면형상을 보정하여 페로브스카이트 박막의 계면 결함을 제어하는 연구입니다.

RF 마그네트론 스퍼터링으로 텍스처드 실리콘 표면에 PbI2 전구체를 증착하고, 이오디네이션과 열처리, DMSO 기반 후처리로 조성·결정성·표면형상을 조율하는 방식으로 페로브스카이트 변환 특성을 개선합니다. 전구체 전환 과정에서 계면과 벌크의 결함 형성을 완화하고, 공정 변수(예: working pressure)가 박막 물성과 광학·구조 특성에 미치는 영향을 분석합니다. 또한 KCl을 활용한 SnO2 패시베이션으로 히스테리시스를 저감하는 계면 제어 전략을 병행하여 탠덤 적용 가능성을 확장합니다.

관련 프로젝트

2건

연구 흐름

초기에는 스퍼터링 기반 PbI2 전구체 적층 후 아이오디네이션과 열·화학 후처리를 조합해 텍스처드 실리콘에서 균일한 페로브스카이트 형성을 확보하는 연구를 수행했습니다. 이후 working pressure 변화에 따른 박막의 형태·구조·조성·광학 특성 변이를 체계적으로 규명하여 공정 윈도우를 좁히는 방향으로 발전했습니다. 최근에는 스퍼터링된 SnO2의 계면을 KCl로 패시베이션하여 히스테리시스를 완화하고, 탠덤 상부셀 개발 과제로 연결하여 결함 억제와 대면적 공정성을 함께 추구하고 있습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

페로브스카이트/결정질 실리콘 탠덤 상부셀 공정 플랫폼
텍스처드 실리콘 대면적 박막 증착 기술
전구체 조성 보정 기반 결함 억제 전략
건식 공정 기반 페로브스카이트 대량 제조
SnO2 계면 패시베이션 소재 적용
작동 압력-박막 물성 상관 모델 기반 최적화
전환 공정(직접 접촉 변환) 조건 도출
후처리 조합을 통한 표면형상 정밀 제어
계면/벌크 특성 동시 개선형 공정 레시피
장기 구동을 고려한 히스테리시스 저감 설계