우리는 비정질(비합금) 양금속(AuAg) 바이메탈 나노입자(BNNP)들을 무질서한 준파장 이하 구조(d-SWSs)에 적용한 결과를 보고한다. 플라즈모닉 구조와 d-SWSs의 결합된 장점은 유연한 박막 결정질 실리콘(c-Si) 태양전지의 빛 가두기(light trapping) 성능을 향상시켰다. 무반사 d-SWSs는 스핀 코팅한 Ag 잉크와 이어지는 금속 보조 화학 식각(metal-assisted chemical etching)을 이용해 제작하였으며, 이는 건식 식각 공정에서 발생하는 이온 유발 표면 손상을 감소시켰다. d-SWSs의 치수는 Ag 잉크의 비율을 조절함으로써 정밀하게 미세 조정되었다. 최적화된 d-SWSs에는 Au8Ag8 BNNP를 적용하여 광대역 파장에서 낮은 반사율을 달성하였다. 파장 300–1100 nm 범위에서 d-SWSs 상의 Au8Ag8 BNNP는 무처리 c-Si 필름 및 c-Si 필름 위의 Au8Ag8 BNNP에 비해 각각 180% 및 145% 향상된 흡수를 보였다. 또한 구조의 무반사 특성은 200회의 굽힘(bending) 후에도 원래 수준과 유사하게 유지되었다. 본 연구는 광대역 파장 범위에서 유연한 박막 c-Si 태양전지의 광 관리(light management)를 위한 새로운 접근 방식을 제시한다.

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