|이용탁 교수 연구실
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·
인용수 42
·2019
1080 nm InGaAs laser power converters grown by MOCVD using InAlGaAs metamorphic buffer layers
Youngjo Kim, Hyun‐Beom Shin, Wonhee Lee, Sang Hyun Jung, Chang Zoo Kim, Hyunsung Kim, Yong Tak Lee, Ho Kwan Kang
IF 6.984 (2019) Solar Energy Materials and Solar Cells
키워드
Materials scienceOptoelectronicsMetalorganic vapour phase epitaxyLaserIndiumEnergy conversion efficiencyEpitaxySlope efficiencyQuantum efficiencyGallium arsenide
타입
Article
IF / 인용수
6.984 / 42
원문
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2019.109984
게재 연도
2019