Si 델타 도핑 기법을 사용하여 고성능 GaAs 터널 다이오드(TD)를 제작하였다. GaAs TD는 피크 터널 전류 밀도 2,735 A/cm2 및 낮은 비저항 1.46 × 10−4 Ω·cm2를 나타냈다. 그러나 Si 델타 도핑의 양이 일정 한도를 초과하면 GaAs TD의 성능이 저하되었으며, 이러한 현상은 다른 곳에서는 드물게 보고되었다. 다양한 Si 델타 도핑 양을 갖는 GaAs TD에 대한 상세 분석과 수치 시뮬레이션을 통해 Si의 양성(ам포테릭) 거동이 성능 한도를 지배함이 입증되었다. Si 델타 도핑을 정밀하게 제어한 GaAs TD는 최신형 탠덤 태양전지 응용에 적합하다.

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