AsH3 서지 처리(AsH3 surge treatment)를 포함한 개질된 PH3-에서 AsH3-로의 가스 전환 시퀀스가 GaInP/GaAs 이중 접합 태양전지에 미치는 영향을 연구하였다. AsH3 서지 처리의 경우 결함의 부재로 대표되는 재료의 질과 소자 성능이 모두 유지되었으나, 이를 적용하지 않은 경우 As/P 계면에서 기원한 두 특성 모두의 열화가 관찰되었다. III–금속 조성의 불균일성을 갖는 결함이 계면에서 형성되어, GaInP 상부 셀을 관통하는 V자형 전위로 발달하는 것이 확인되었다. 이러한 결과는 GaInP에서 As 기반 재료 성장을 수행하기 전에 충분한 비소 공급이 필요함을 시사한다.

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