수소화물 기상 성장(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)으로 성장한 AlxGa1-xN (x = 0.4)의 결함 상태와 전기적 특성을 조사하였다. 원소 O의 AlxGa1-xN 결정 내 도입이 미치는 영향을 규명하기 위해, HVPE로 성장한 AlxGa1-xN 결정을 O2 유량을 공급한 경우와 공급하지 않은 경우로 나누어 성장시켰다. AlxGa1-xN 층의 결정 품질과 전기적 특성은 X선 회절과 딥 레벨 과도 스펙트로스코피(deep level transient spectroscopy, DLTS)로 분석하였다. I–V, C–V 및 DLTS 측정을 위한 쇼트키 소자는 Ni/Au 금속과 Ti/Al 금속화로 형성하였다. 정전용량 DLTS 스펙트럼에서는 산소가 없는 조건에서 성장한 Al0.4Ga0.6N에서 H1과 H2의 두 가지 유형의 깊은 트랩이 관찰되었으며, 산소가 있는 조건에서 성장한 Al0.4Ga0.6N에서는 H1’ 트랩이 관찰되었다. 모든 트랩은 1.3 eV(H1), 0.59 eV(H2), 1.2 eV(H1ʹ)의 활성화 에너지를 갖는 정공형 트랩이었다. 이러한 결과는 산소 원자가 AlxGa1-xN 결정의 결정 품질을 향상시키고 결함 상태를 억제할 수 있음을 보여준다.

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