본 과제는 저항변화 메모리 소자의 전기적 특성을 향상시키기 위해 quasi-2D 할라이드 페로브스카이트에 나노구조체를 도입하고, 멕신 퀀텀닷 코팅을 더해 고성능 비휘발성 메모리 구현을 목표로 함. 연구 목표는 (1) Quasi-2D 할라이드 페로브스카이트 스위칭 물질로 1010이상의 ON/OFF 저항비 확보, (2) 멕신을 퀀텀닷 나노 구조로 적용해 105이상의 엔듀런스 사이클 신뢰성 향상임. 이를 위해 PEA 기반 합성에서 dielectric constant 3.3로 쇼트키 배리어 및 ON/OFF 저항비 개선을 유도하고, 최적 유기 양이온 후보군을 선정함. 또한 멕신 퀀텀닷의 electric field concentration, thermal conductivity(1.57 W/m·K), Ag 이온 모빌리티 감소로 SET/RESET 균일화와 필라멘트 안정화를 기대함.