본 연구에서는 산화인듐(In₂O₃) 박막전계효과 트랜지스터(FET)에서 접촉 도핑 효과(CDE)와 역치전압(V_T) 롤오프의 영향이 체계적으로 연구되었다. 수정된 전달길이법(TLM)을 사용하여 장 채널 길이(L_ch)와 단 채널(짧은) 소자(L_ch)를 각각 분석함으로써 CDE를 정량화하기 위해 $\mathbf{\Delta }\text{L}$을 추출할 수 있다. ΔL과, V_T 롤오프가 발생하는 L_ch 사이의 상관관계는 CDE가 In₂O₃ 트랜지스터에서의 V_T 롤오프에 기여하는 핵심 요인일 수 있음을 시사한다. 다음으로 CDE의 근본 메커니즘이 조사되었다. 소스/드레인(S/D) 금속을 In₂O₃ 채널에 증착하는 과정에서의 산소 제거 반응(OSR)이 CDE의 원인 중 하나임이 밝혀졌다. S/D 금속은 In₂O₃로부터 산소 원자를 제거하여 산소 공공을 생성하고, S/D 영역 근처의 캐리어 밀도를 증가시킨다. 또한 금속/In₂O₃ 접촉의 슈트키 장벽 높이(${\mathbf{\Phi }}_{\text{SB}}$) 역시 CDE에 영향을 미칠 수 있다. 양의 ${\mathbf{\Phi }}_{\text{SB}}$는 캐리어를 고갈시키는 반면, 음의 ${\mathbf{\Phi }}_{\text{SB}}$는 S/D 아래의 In₂O₃ 채널에 캐리어를 축적시킨다. 본 연구는 CDE를 규명하기 위한 새로운 접근법을 제공하며, 산화물 반도체(OS) 트랜지스터에서의 V_T 롤오프를 이해하는 데 있어 그 핵심적 역할을 강조한다.

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