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Article|
인용수 52
·2013
Silicon Carbide-Based Hydrogen Gas Sensors for High-Temperature Applications
Seong-Jeen Kim, Seongjeen Kim, Je-Hoon Choi, Minsoo Jung, Sung‐Jae Joo, Sangchoel Kim, Sangchoel Kim
Sensors
초록

우리는 자동차, 화학 및 석유 산업 등과 같은 분야에서 고온 공정 모니터링 및 누설 감지 응용을 목적으로 금속-절연체-반도체(MIS) 구조를 갖는 SiC 기반 수소 가스 센서를 조사하였다. 본 연구에서는 민감도 향상을 목적으로 박막 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5) 층을 활용하였다. 이는 탄탈륨 옥사이드가 수소 가스에 대한 높은 투과성을 가지면서도 고온에서의 안정성이 우수하기 때문이다. 고온 응용을 위해 탄화규소(SiC)를 기판으로 사용하였다. 우리는 Pd/Ta2O5/SiC 기반 수소 가스 센서를 제작하였고, 실온부터 500 °C까지의 온도 범위에서 수소 농도에 따른 이들의 I-V 특성 및 정전용량 응답 특성의 의존성을 분석하였다. 그 결과에 따르면, 본 센서는 고온에서 수소 가스 검출을 위한 유망한 성능을 보였다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Materials scienceSilicon carbideHydrogenOxideSiliconOperating temperatureTantalum carbideAtmospheric temperature rangeGas detectorCarbide
타입
Article
IF / 인용수
- / 52
게재 연도
2013