● 본 연구는 Instituto Italiano di Tecnologia(IIT)이 특화되어 있는 광특성분석, LED 기술과 POSTECH이 특화되어 있는 열증착 공정, 도핑, TFT 기술을 서로 공유하여 소재 설계부터 소자 제작까지 전 공정에 피드백을 적용함으로써 국제 공동연구로만 달성 가능한 높은 성능과 재현성을 가진 페로브스카이트 기반 근적외선 영역 ...
페로브스카이트
열증착
근적외선영역
발광다이오드
발광트랜지스터
2
2023년 4월-2028년 1월
|469,470,000원
저온공정 고성능 p형 반도체 소재 및 트랜지스터 개발
신개념 P-오비탈 정공 전도형 고이동성 P형 반도체 소재 및 트랜지스터 회로 개발
p형 반도체
텔루륨 옥사이드
박막 트랜지스터
텔루륨
저온 박막공정
3
2023년 4월-2028년 1월
|428,000,000원
저온공정 고성능 p형 반도체 소재 및 트랜지스터 개발
신개념 P-오비탈 정공 전도형 고이동성 P형 반도체 소재 및 트랜지스터 회로 개발
p형 반도체
텔루륨 옥사이드
박막 트랜지스터
텔루륨
저온 박막공정
4
주관|
2021년 8월-2024년 8월
|45,000,000원
고전압, 전고체 리튬 배터리를 위한 리튬-금속 할로겐화물 고체 전해질 개발
본 과제는 전기차·전자기기용 전고체 리튬 배터리에서, 액체 대신 고체로 전류가 흐르게 할 고체 전해질 소재와 공정을 개발하는 연구임.
연구 목표는 리튬-금속 할로겐화물 고체 전해질의 이온 전도도 (>10-2 S/cm) 달성, 양극 활물질-고체 전해질 복합재 최적화, 이종접합 고체 전해질로 고전압 전기화학적 안정성 확보임. 핵심 내용은 Li3MX6 기반 고체 전해질을 도핑·구조 설계하고, 유기용매를 활용한 리튬 할로겐화물/금속 할로겐화물 용액 공정과 양극의 이온-전자 복합 전도도 형성 공정 최적화 수행임. 기대 효과는 차세대 전고체 배터리 핵심 소재로 활용 가능, 성능 향상 및 전고체 제조 공정 경쟁력 확보임.
○ 신개념 이온 반도체 소재인 비납계 페로브스카이트와 전이 후 금속 할로겐화물의 신재료를 발굴하여 이를 통해 M3D용 고성능 TFT와 투명회로용 고균일성 p-type TFT를 개발하고자 함. ○ M3D용 고성능 TFT를 위해 (1) 비납계 Sn, Ag/Bi 기반 페로브스카이트의 조성-박막물성-전기적 특성 상관관계의 연구를 통하여 최적의 반도체 소재를 도출함...