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|
인용수 3
·
2025
Crystallization and hydrogenation of In2O3 channels for top-gate thin-film transistors with combinations of Al2O3 intermediate control layer and oxygen annealing
Sejong Chun
,
Sung‐Min Yoon
IF 6.9
Applied Surface Science
키워드
Annealing (glass)
Thin-film transistor
Crystallization
Materials science
Transistor
Oxygen
Layer (electronics)
Optoelectronics
Thin film
Chemical engineering
타입
article
IF / 인용수
6.9 / 3
원문
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.164336
게재 연도
2025