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article
|
인용수 4
·
2025
Crystallographic orientation engineering of In2O3 channel via thickness modulation for high-mobility top-gate thin-film transistors
Chae-Eun Oh
,
Sung‐Min Yoon
IF 6.3
Journal of Alloys and Compounds
키워드
Thin-film transistor
Materials science
Modulation (music)
Transistor
Optoelectronics
Orientation (vector space)
Electron mobility
Channel (broadcasting)
Thin film
Nanotechnology
타입
article
IF / 인용수
6.3 / 4
원문
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2025.182175
게재 연도
2025