기본 정보
연구 분야
프로젝트
발행물
구성원
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Capacitance Boosting by Anti-Ferroelectric Blocking Layer in Charge Trap Flash Memory Device
구분
국외
국가
미국
컨퍼런스명
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
발표 제목
Capacitance Boosting by Anti-Ferroelectric Blocking Layer in Charge Trap Flash Memory Device
기관명
IEEE
참여 연도
2020
상세 설명
IEEE