김민주 교수 연구실
The 26th Korean Conference on Semiconductors
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조
구분
국내
국가
대한민국
컨퍼런스명
The 26th Korean Conference on Semiconductors
발표 제목
Y 도핑된 ZrO2 고유전율 박막을 이용한 0.67 nm의 EOT와 매우 낮은 누설 전류를 가지는 Ge 기반 게이트 구조
기관명
한국반도체협회
참여 연도
2019
상세 설명
한국반도체협회