강한 수소 결합이 µSi 표면에 대한 부착성을 향상시키는 동시에 수송이 가능해진다. 그 결과, IRCB를 사용하는 탄소 프리 µSi 음극은 기존 PVDF 기반 전극에 비해 현저히 향상된 전기화학적 안정성을 보이며, 1 C에서 300사이클 후 용량 유지율이 16%에 그친 기존 전극과 달리 90%를 달성한다. 구조적 및 계면 분석에 따르면, IRCB는 IRCB가 입자 이동을 효과적으로 완화하고 황화물 고체 전해질과의 계면 열화를 억제함을 보여준다. 본 연구는 합리적인 바인더 엔지니어링이 ASSB에서 안정적이고 고성능인 µSi 음극을 구현하는 핵심 가능 요인임을 입증한다.

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