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Dirac 및 Mott 상관 물리의 계면·조성 제어 연구

Interface- and Composition-Controlled Dirac and Mott Correlated Physics

연구 내용

스핀-궤도 결합과 계면 전하 스크리닝을 조성·구조 공학으로 조절하여 type-II Dirac 밴드, 상전이, Mott 물리를 연속적으로 제어하는 연구

type-II Dirac 반도체에서 스핀-궤도 결합을 계통적으로 조절해 Dirac 점의 에너지 이동을 구현하는 전략을 연구합니다. NiTe2 계열에서는 Se 치환을 통해 SOC 강도를 튜닝하고, STM/ARPES로 벌크 Dirac 지점 변화를 검증합니다. 또한 그래핀 위 모노레이어 CoSe2에서는 MBE로 저차원 상전이를 유도하고, CDW 연관 초구조와 전자-보손 커플링 기반 갭 진화로 다중 상전이 거동을 규명합니다. 더 나아가 LaTiO3/SrTiO3 계면에서 국소 스크리닝 환경을 조절해 상온성 Mott 전이를 유도하는 등, 계면 공학으로 상관 물리를 제어하는 연구를 수행합니다.

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연구 흐름

2022년에는 NiTe2에서 Se 치환을 통해 spin–orbit coupling을 조절하고 type-II Dirac 밴드의 유지 및 Dirac 점 이동을 제시했습니다. 이후 2024년에는 그래핀 기반 모노레이어 CoSe2에서 초구조 형성과 전자-보손 커플링에 의한 상전이 두 축을 실험적으로 분해했습니다. 2025년에는 NiTeSe 삼원합금에서 in-plane 비등방성을 STM과 ARPES, DFT로 연결해 해석했고, 동시에 LaTiO3/SrTiO3 이종구조에서 계면 스크리닝을 통해 isothermal Mott 전이를 연속적으로 구동하는 결과를 보고했습니다. 이러한 흐름은 칼코겐화물 에피박막 과제의 전하-스핀 정렬, 동역학, 위상 관련 스핀 현상 규명과 연계되어 축적되었습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

  • 조성 기반 Dirac 밴드 튜닝
  • 계면 스크리닝 제어
  • 상전이 거동의 데이터 기반 판별
  • 위상 관련 전자구조 설계
  • 비등방 전자수송 구현
  • 저차원 상관 물리 모델 검증
  • 스핀·전하 결합 현상 해석
  • 반도체 이종구조 전자소자 설계
  • 자성-위상 결합 기반 소자 후보군 도출
  • 전기적 비등방성 센싱

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