n형 Ga2O3와 p형 NiO 박막으로 이루어진 이종접합을 저온 공정 조건에서 제작한다. 이 기술은 다양한 기판에서 폭이 넓은 밴드갭 반도체를 이용한 이종접합 응용을 향상시킬 잠재력을 제공한다. Tauc plot으로부터 Ga2O3와 NiO 반도체에 대해 각각 4.67 eV 및 3.62 eV의 광학적 밴드갭 값이 얻어진다. 이종접합에서 자발적으로 형성된 공핍영역은 열적 평형 조건에서 축전기적 특성을 보이는 반면, 저항성 성분은 턴온 전압 범위에서의 전하 수송에 관여한다. 두께가 50 nm인 n-Ga2O3와 이종접합 계면에서의 최대 전기장은 열적 평형 조건에서 두께가 400 nm를 초과하는 n-Ga2O3의 경우보다 5배 높다. 접합 두께가 접합 공핍폭보다 짧아지면, PN 접합 계면에서의 훨씬 더 높은 최대 전기장으로 인해 다이오드는 조기 항복을 겪는다.
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