내열계수 저항(temperature coefficient of resistance, TCR)에 대한 것이다. 이러한 중적외선(mid-IR) 광응답성의 근본 기작은 자외선 광전자 분광법(ultraviolet photoelectron spectroscopy, UPS) 특성화를 통해 규명된 바와 같이, PtS 박막의 밴드갭 내 상태(midgap states)가 매개하는 중력(bolometric) 효과에 의해 구동되는 캐리어 여기(carrier excitations)에 기인한다. 또한 기계적 변형에 불변인 광응답성을 활용하여, 변조된 조명 및 게이팅 조건 하에서 이방향(biaxial)으로 늘어날 수 있는 PtS/PI 포토트랜지스터를 시연한다. 본 연구는 특이한 기능과 구성으로 이루어진 차세대 포토전자 소자를 위한 초박막 반도체의 기회를 제공할 것으로 기대된다.

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