자유 지지(freestanding) 형태의 단결정 칼코게나이드 박막은 유연 위상변화 메모리(PCM)와 같은 고급 전자소자에서 매우 필요하다. 그러나 이들 박막은 성장 및 박리(delamination) 문제로 인해 대규모(스케일러블) 제조가 어렵다. 본 연구에서는 단결정 게르마늄 텔루라이드(GeTe) 막의 웨이퍼 스케일 에피택셜 성장과, 유연 기판에 대한 결정론적 통합을 가능하게 하는 실행 가능한 전략을 보고한다. GeTe 박막은 텔루화(tellurization) 반응을 통해 Ge 웨이퍼 위에서 에피택셜하게 성장되며, 이 과정에서 GeTe/Ge 계면을 따라 구속된(confined) 전위(dislocation)가 형성된다. 이후, 성장된 박막은 응력-집중 전위를 활용하는 변형률(스트레인) 공학 기반 박리(spalling) 방법에 의해, 웨이퍼 스케일 구조적 무결성을 보존한 채로 웨이퍼로부터 박리해 낸다. 또한 이러한 웨이퍼 에피택시와 박리 접근법의 범용성은 게르마늄 셀레나이드(GeSe)와 같은 다른 칼코게나이드 막의 제조로까지 확장된다. 이들 물질은 자유 지지 형태에서도 위상변화에 의해 구동되는 전기적 스위칭 특성을 나타내며, 유연 PCM 기술에 있어 전례 없는 기회를 열어준다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.