아연화에틸렌다이아민(EDA)/CH3COOH/Ar 가스 혼합물의 고밀도 플라즈마를 사용하여 100 nm 미만의 패턴을 갖는 구리 박막의 건식 식각을 수행하였다. EDA/Ar 가스 혼합물에 CH3COOH를 첨가함으로써 80 nm 라인 어레이로 패턴된 구리 박막의 식각 속도와 식각 선택성이 유의하게 향상되었으며, 그 결과 식각 프로파일에서 높은 수준의 이방성이 나타났다. EDA와 CH3COOH의 최적 비율은 4:1로 확인되었고, EDA/CH3COOH/Ar에서 EDA/CH3COOH의 약 60%에서 양호한 식각 프로파일을 얻었다. 광방출 분광분석은 (EDA/CH3COOH)/Ar 플라즈마에서 [CN] 및 [H]의 최대 강도가 EDA/CH3COOH이 약 50%–75%일 때 측정되었음을 보여주었다. X선 광전자분광분석은 식각 과정 중 CuCN 및 C–C/C–H를 포함하는 화합물의 형성을 확인하였으며, 이는 이러한 식각 화학 조성이 효과적이었음을 의미한다. 투과전자현미경은 식각된 구리 박막의 측벽에 재증착이나 식각 잔류물이 존재하지 않음을 확인하였다.

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