상세 설명

본 연구실은 고불소계 재료를 기반으로 한 포토리소그래피 패터닝 공정 및 차세대 극자외선(EUV) 감광제 개발에 중점을 두고 있습니다. 최근 반도체 및 디스플레이 산업에서 미세 패턴 구현의 한계 극복을 위해 고해상도, 고감도, 고내구성의 감광제 개발이 필수적으로 요구되고 있습니다. 이에 따라 본 연구실에서는 불소화된 고분자 및 나노클러스터를 활용하여, 기존의 한계를 뛰어넘는 미세 패턴 구현 기술을 선도하고 있습니다. 특히, 주석-옥소 나노클러스터(Tin-oxo nanocluster) 기반의 감광제 및 고불소계 고분자 감광제의 합성, 박막화, EUV 노광 후의 용해도 변화 및 패턴 안정성 향상에 관한 연구를 수행하고 있습니다. 불소화된 구조는 감광제의 내화학성, 내습성, 내열성을 크게 향상시키며, 고해상도 패턴 형성에 유리한 특성을 제공합니다. 또한, 다양한 화학적 기능기 도입을 통해 감광제의 민감도와 선택성을 극대화하고, 차세대 반도체 공정에 적합한 소재 개발에 집중하고 있습니다. 이러한 연구는 차세대 반도체 및 디스플레이 제조 공정의 혁신을 이끌고, 인공지능 시대의 초고집적 칩 제조에 필수적인 기반 기술로 자리매김하고 있습니다. 본 연구실의 고불소계 감광제 및 EUV 리소그래피 소재 연구는 국내외 산업계와의 협력을 통해 실제 양산 공정에 적용되고 있으며, 미래 첨단 전자소자 제조의 핵심 원천기술로서 그 가치를 인정받고 있습니다.

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