우리는 c-면(c-cut) 사파이어 기판(0001) 위에 Cr-도핑된 VO 2 박막(V 1− x Cr x O 2 , 0 ≤ x ≤ 0.15)을 제조하였다. VO 2의 절연체-금속 전이(IMT) 거동은 상전이점 근처(T c ~ 340 K)에서 저항 및 투과율 측정을 통해 관찰하였다. 금속-절연체 전이 시작점(T HE)은 x ≤ 0.03에서 350 K로 거의 일정하게 유지된 반면, 절연체-금속 전이 시작점(T HS)은 x = 0에서 308 K에서 x = 0.05에서 326 K로 이동하였으며, 이는 Cr-도핑된 VO 2 격자가 VO 2의 T c 이하에서 유의미하게 안정화됨을 시사한다. 상전이의 급격함을 반영하는 T HS와 T HE의 차이 및 열 순환 간 간격(히스테리시스 갭)은 V 1− x Cr x O 2에서 x = 0.03–0.05에서 최소였다. Cr-도핑된 VO 2의 이러한 급격한 상전이는 민감한 온–오프 응용에 대해 고유하게 유리할 것으로 기대된다.

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