본 연구에서는 CTF(Charge Trap Flash) 기반 3D NAND 플래시 메모리에서 프로그램 동작의 핵심 효율 지표인 ISPP(incremental step pulse programming) 기울기(slope)의 열화 요인을 이해하기 위한 물리적 모델을 제안한다. ISPP 동작 동안, 전하 트랩 층(CTL) 내에 포획된 전하의 위치는 채널 표면 퍼텐셜에 유의미한 영향을 미치며, 이는 다시 에 영향을 준다. 본 연구에서는 처음으로, CTL 내에서 포획된 전하의 위치와 밀도에 대한 채널 표면 퍼텐셜의 민감도를 포착하는 ISPP 기울기 모델을 개발하였다. 연구 결과, ISPP 기울기 열화의 주요 원인은 열 평형 상태에서 부유 게이트(FG) 메모리에서 나타나는 균일한 분포와 대비되는 CTL 내 포획 전하의 비균일한 분포임을 확인하였다. 도출된 모델을 사용하여 실험적인 ISPP 기울기를 성공적으로 재현하였으며, 포획 전하를 재분배함으로써 ISPP 기울기를 개선하기 위한 밴드 엔지니어링된 CTL을 제안한다.
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