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Article|
인용수 5
·2025
Steep‐Slope CuInP 2 S 6 Ferroionic Threshold Switching Field‐Effect Transistor for Implementation of Artificial Spiking Neuron
Sungpyo Baek, Young Kwon Kim, Sang‐Min Lee, Sang‐Min Lee, HaeJu Choi, Ji‐Sang Park, Byung Chul Jang, Sungjoo Lee, Sungjoo Lee
IF 26.8 (2025) Advanced Materials
초록

이온 마이그레이션은 상전이를 유도하여 급격한 저항 스위칭과 효율적인 스파이킹을 발생시킨다. 이 장치는 보조 리셋 회로를 필요로 하지 않으면서, 누설 적분-발화(leaky integrate-and-fire), 역치 튜닝, 그리고 시공간 동역학을 포함한 핵심 신경 역동을 성공적으로 모사한다. 또한, CIPS 기반 시냅스 및 뉴런 소자를 통합하여 SNN을 구성하고, 비지도 학습 접근법을 사용하여 얼굴 분류 성능을 평가하였으며, 뉴런 소자의 측면 억제(lateral inhibition) 기능을 통해 95.83%의 인식 정확도를 달성하였다. 이러한 결과는 차세대 SNN 기반 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템을 위한 에너지 효율적인 스파이킹 뉴런 소자 응용에서 CIPS TS-FET의 잠재력을 보여준다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Materials scienceTransistorField-effect transistorField (mathematics)OptoelectronicsArtificial neuronNanotechnologyElectrical engineeringArtificial neural networkVoltage
타입
Article
IF / 인용수
26.8 / 5
게재 연도
2025