선택기억(Selector Only Memory, SOM)은 고유한 극성 의존적 ${\mathrm{V}}_{\text{th }}$ 이동 특성을 보이지만, 그 기원은 아직 명확하지 않다. 본 연구에서는 비정질 안정성에 기여하는 As 및 Sb와 같은 15족 원소의 작동 메커니즘을 조사하였다. 이를 위해 12인치 웨이퍼 위에 GeAsSeIn 및 GeSbSeIn SOM 소극을 제작하였다. I-V 분석을 통해 각 재료 간 서로 다른 전도 메커니즘이 확인되었으며, Sb 관련 트랩 상태는 As 기반 SOM 소자에 비해 더 큰 메모리 윈도(2.1V)와 낮은 ${\mathrm{V}}_{\text{th }}$ 드리프트($4\text{mV}/\text{dec}$ )를 유발하였다. TEM 분석은 국소 원자 분포를 보여주었고, 초기 사이클 동안 Sb의 이동이 발생함에도 불구하고 As 및 Sb 기반 SOM 소자 모두에서 높은 RDE 특성({{abstract}}gt;60 \mathrm{G}$)을 확인하였다. 또한 트랩 상태의 기원을 규명하기 위해 광자 기반 I-V를 통한 트랩 프로파일 측정과 DFT 계산을 수행하였다. 이러한 결과는 SOM이 다양한 작동 메커니즘을 나타냄을 보여주며, 각 재료에 대해 근본적 분석이 필요함을 강조한다.

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