한 개의 강유전체 터널 전계효과트랜지스터(FeTFET)를 활용하는 새로운 재구성 가능 논리 게이트(RLG)가 최초로 제안된다. TFET의 대칭적인 양방성 전류(symmetric ambipolar current)와 강유전체의 minor loop 거동을 활용함으로써, 단일 FeTFET 내에서 NAND/OR/XNOR/IMP/RIMP 연산을 수행하여 높은 면적 효율의 로직-인-메모리(LiM)를 구현한다. 두 입력은 두 단계로 프로그래밍할 수 있으며, 읽기 전압(read voltage)을 단순히 변경함으로써 논리 연산의 유형을 바꿀 수 있음을 입증한다. 제안된 FeTFET 기반 RLG는 FeFET 기반 것에 비해 동작 에너지를 >99% 더 낮게 소모한다.

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