본 논문은 효율적인 대역외(out-of-band) 차단을 위해 최적화된 결합선(coupled-line) 매칭 네트워크를 사용함으로써 선택성을 향상시킨 초광대역 저잡음 증폭기(LNA) 단일칩 마이크로파 집적회로(MMIC)를 제시한다. 제안된 매칭 네트워크는 결합선 구조를 통합하여, 동시에 통과대역(in-band) 임피던스 매칭과 대역외 차단을 달성한다. 제안된 결합선 매칭 네트워크는 고역통과(high-pass) 및 대역정지(band-stop) 특성을 나타내어, 원하는 신호 대역에 대한 효율적인 전력 전달을 유지하면서 원하지 않는 주파수 성분을 효과적으로 거부한다. LNA는 GaAs E-모드(d- mode) 슈도모픽 고전자이동도 트랜지스터(pHEMT) 공정을 사용하여 제작되었으며, 대역폭 21.5 GHz에서 43.75 GHz까지에서 소신호 피크 이득이 24 dB, 잡음지수가 2.1 dB에서 3.6 dB 범위로 나타났다. 제안된 설계는 15 GHz와 48 GHz 모두에서 43 dBc의 대역외 차단 효율을 달성한다. 입력 압축 지점(IP1dB)은 −15.5 dBm에서 −11.7 dBm 범위이다. 패드(pads)를 포함한 제작 칩의 크기는 mm이며, 총 전력 소모는 48 mW이다.
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