이 논문은 $0.1-\mathbf{\mu }\mathbf{m}$ 고갈형(D-mode) GaAs 변환 전자 이동도 트랜지스터(pseudomorphic high electron mobility transistor, pHEMT) 공정에 기반한, $6-18\text{GHz}$ 대역 동작을 위한 광대역 자체 바이어스 저잡음 증폭기(LNA)를 제시한다. D-mode LNA의 게이트 동작 바이어스는 음(negative)이다. 그러나 음의 바이어스 없이 LNA의 동작을 가능하게 하기 위해, 제안된 설계에서는 자체 바이어싱 네트워크(SBN)를 사용한다. 본 논문은 SBN 구조의 커패시턴스를 효과적으로 활용하여 평탄한 광대역 이득을 달성하는 방법을 제시한다. 또한 SBN의 저항과 ${\text{OP}}_{1\text{dB}}$을 분석하여, 효과적인 설계 방법론을 제안한다. 측정된 광대역 LNA는 12 GHz에서 최대 이득 20 dB를 나타내며 3-dB 대역폭은 14.4 GHz이다. 측정된 잡음지수(NF)는 전체 $6-18\text{GHz}$ 대역에서 2 dB 미만을 유지한다. LNA는 입력 $1-\text{dB}$ 이득 압축 포인트(IP1dB)로 $-2.7\mathbf{dBm}$를 달성하고, 12 GHz에서 3차 입력 인터셉트 포인트(IIP3)로 $8.6$ dBm을 달성한다.

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