Switchless Reconfigurable mmWave Low Noise Amplifiers and Noise Matching Front-End Research
연구 내용
듀얼밴드 mmWave 수신에서 노이즈 최적화를 위해 common gate 증폭과 결합선 기반 diplexer, 듀얼밴드 잡음 매칭 네트워크를 결합하는 연구
본 분야는 mmWave 듀얼밴드 수신기에서 잡음지수를 낮추기 위해 입력/중간단에서의 주파수 분리와 잡음 매칭을 동시에 수행하는 접근을 포함합니다. common gate 구조를 이용해 게이트 바이어스 on/off 조건의 임피던스 변화를 활용하고, coupled-line 기반 diplexer로 두 밴드 간 격리 특성을 확보합니다. 또한 series/parallel resonance를 이용한 dual-band noise matching 방식으로 캐스코드 구조의 이득과 잡음 성능을 함께 맞춥니다. 공정은 GaAs pHEMT 기반 집적을 중심으로 하며, 수신 모듈과의 연계를 위해 안테나 특허와 같은 RF 전면 구성 요소도 함께 다룹니다.
관련 연구 성과
관련 논문
2편
관련 특허
1건
관련 프로젝트
2건
연구 흐름
수신 프론트엔드는 2022년부터 5G CV2X RF 전치단 SoC 및 6G 통신용 RF SoC 핵심 IP 개발 과제에서 모듈 단위 요구사항을 수집하는 단계로 시작했습니다. 2023년에는 37–48 GHz 대역을 대상으로 switchless 재구성형 LNA를 설계하고, common gate와 coupled-line diplexer로 밴드 선택과 격리를 구현했습니다. 같은 해 동시 26/48 GHz LNA에서는 cascode 구조와 inductive source degeneration, dual-band noise matching 네트워크로 이득·잡음 동시 최적화를 수행했습니다. 이후 2024–2025년에는 FR3 초광대역 프론트엔드로 확장되는 프로젝트 흐름을 바탕으로 수신 성능 제어의 설계 규칙을 축적하는 방향으로 진행됩니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
A 39/48 GHz Switchless Reconfigurable Low Noise Amplifier Using Common Gate and Coupled-Line-Based Diplexer
A Concurrent 26/48 GHz Low-Noise Amplifier With an Optimal Dual-Band Noise Matching Method Using GaAs 0.15 <i>μ</i>m pHEMT
관련 특허
구분
제목
자기전자 다이폴 안테나
관련 프로젝트
구분
제목
6G 통신용 RF SoC를 위한 핵심 IP 개발
5G CV2X용 시스템온칩 (SoC) RF 프론트엔드 모듈 개발