HfO2에서의 기존과 다른 비정형 강유전성의 획기적 발견은 차세대 메모리 소자의 흥미로운 전망을 제시한다. 그러나 특히 이의 에피택셜 안정화 및 내재적 강유전성에 대한 보다 명확한 이해를 포함한 실용적 구현은 중대한 과제로 남아 있다. 본 연구는 현대 산업에서 대량 생산을 위한 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)의 잠재적 중요성을 환기하며, Yttria-stabilized zirconia(YSZ) 기판 위에서 강유전성 Hf0.5Zr0.5O2(HZO) 박막의 에피택셜 성장을 달성하는 데 있어 그 능력을 입증한다. 또한, 구별되는 강유전 스위칭 전류를 통해, YSZ 버퍼를 갖춘 Si 기판 위에 ALD로 증착된 에피택셜 HZO 박막의 강유전 특성을 규명하였으며, 이는 CMOS 기술과 잘 부합한다. 전반적으로, 본 결과는 강유전성 HfO2 기반 물질을 위한 확장 가능한 합성 시스템의 길을 열어주며, 저온 에피택셜 나노전자소자 분야의 밝은 미래를 시사한다.

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