본 연구는 낮은 전류 상승률() 조건에서 구동되는 X-핀치 플라즈마의 특성을 살펴보고자 하였다. 이를 위해 소프트 엑스선 분광학을 베넷(Bennett) 관계식과 결합하여 분석하였다. X-핀치 실험은 SNU X-pinch 장치에서 구리 와이어를 사용하여 가 0.2-0.3 kA/ns인 저 상승률 조건에서 수행되었다. 그 결과, 엑스선 여과 AXUV 포토다이오드 어레이(x-ray filtered AXUV photodiode array, XFPA)로 측정한 1-10 keV 범위의 소프트 엑스선 신호는 소프트 엑스선 펄스의 높은 강도에 기인하여 뚜렷한 비선형 효과를 보였다. 본 연구는 펄스 레이저를 사용하여 강한 펄스 방사 하에서 AXUV-HS5 Si PIN 포토다이오드의 비선형 거동을 규명하였다. 시간적 프로파일의 왜곡이 발생하더라도, 입사 펄스 에너지에 대해 총 수집 전하(total collected charge)가 비례성을 유지한다는 전하 보존 성질을 확인하였다. 이러한 진단 결과를 바탕으로 플라즈마 매개변수 추정을 위한 새로운 프레임워크를 개발하고 적용하였다. 구형 방출 모델과 베넷 평형을 결합함으로써, 소프트 엑스선 소스 플라즈마는 극도로 압축된 ‘핫 스팟(hot spot)’이 아니라 플라즈마 밀도 $n_e sim 10^{21} \text{ cm}^{-3}d \sim 30-40\ μ\text{m}T_e \sim 1 \text{ keV}t_B \sim 1 \text{ ns}$로 특성화되는 ‘브라이트 스팟(bright spot)’임을 도출하였다.
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