이 연구는 저 전류 상승률($dI/dt$) 조건에서 구동되는 X-핀치 플라즈마의 특성을 소프트 엑스선 분광법과 Bennett 관계를 결합하여 조사한다. X-핀치 실험은 SNU X-pinch 장치에서 구리선을 사용하여 $dI/dt$를 0.2–0.3 kA/ns로 낮춘 조건에서 수행하였다. 그 결과로 얻어진 1–10 keV 범위의 소프트 엑스선 신호는 x-레이 필터를 적용한 AXUV 포토다이오드 어레이(XFPA)로 측정되었으며, 소프트 엑스선 펄스의 높은 강도에 기인하여 유의미한 비선형 효과를 나타낸다. 본 연구는 펄스 레이저를 사용하여 강한 펄스 방사 하에서 AXUV-HS5 Si PIN 포토다이오드의 비선형 거동을 특성화하였다. 우리는 시간적 프로파일이 왜곡되더라도, 총 수집 전하가 입사 펄스 에너지에 비례성을 유지한다는 전하 보존 성질을 확인하였다. 이러한 진단 결과를 바탕으로 플라즈마 매개변수 추정을 위한 새로운 프레임워크를 개발하고 적용하였다. 구형 방출 모델과 Bennett 평형을 결합함으로써, 이 접근법은 소프트 엑스선 광원의 플라즈마가 극도로 압축된 '핫 스팟(hot spot)'이 아니라, 플라즈마 밀도 $n_e sim 10^{21} ext{ cm}^{-3}$,크기$d sim 30-40m$,전자온도$T_e sim 1 ext{ keV}$,그리고방출지속시간$t_B sim 1 ext{ ns}$로 특징지어지는 '브라이트 스팟(bright spot)'임을 규정한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.