저에너지 전자의 생성은 반도체 및 디스플레이의 이온 주입(ion implanter) 공정에서 전하 중화기(charge neutralizer) 시스템의 플라즈마 소스에 필수적이다. 이는 이온 빔을 따라 전자가 효과적으로 수송될 수 있는 탁월한 능력 때문이다. 본 연구에서는 전자 추출 시스템 전반에 걸쳐, 특히 5 eV 미만의 저에너지-풍부 전자를 특징으로 하는 비-맥스웰(non-Maxwellian) 전자 에너지 확률함수(eepf s)를 생성하는 방법을 제안한다. 축 방향 자기장이 존재하는 전자 수송 영역에서, 방전 전압과 가스 유량이 높은 조건 하에 eepf에서 저에너지 전자가 유의하게 증가하는 현상을 관찰하였다. 이러한 결과를 분석하기 위해 제안된 단순 전역 모델은 수송 영역에서의 이온화율에 의해 영향을 받는 플라즈마 퍼텐셜의 상승을 통해 전자의 벽 손실(wall loss)을 감소시킬 수 있음을 보여주었다. 이러한 결과는 실험적으로 측정된 플라즈마 퍼텐셜 및 전자 밀도와 일치한다. 또한 수송 영역 내에서의 벽 손실 감소와 이온화율 증가로 인해 플라즈마 퍼텐셜 구배(potential gradient)가 완화되었다. 이 현상은 eepf 내 저에너지 전자의 절단(cutting)을 효과적으로 억제하여, 결과적으로 이들이 표적(target)으로 수송될 수 있도록 하였다. 본 연구는 저에너지 전자를 생성하는 동시에 표적을 향해 이들을 유도하기 위한 이중 목적을 위해 이온화율을 증가시키고 퍼텐셜 구배를 최소화하는 것의 중요성을 강조한다.

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