이 논문에서는 결합 전송선에 대한 새로운 실험적 특성화 기법을 제시한다. 두 개의 결합된 선 사이의 전자기적 결합을 각각 개별적으로 특성화할 수 있는 세 가지 특정 실험 시험 패턴(E-, F-, 및 G-형 구조)을 0.18-μm CMOS 공정을 사용하여 동일 웨이퍼 위에 개발하고 제작하였다. 고안된 시험 패턴은 2포트 네트워크이므로, 널리 알려진 2포트 네트워크 특성화 기법을 활용할 수 있다. 세 가지 2포트 시험 패턴과 관련된 전송선 모델 파라미터(즉, 전파 상수 및 특성 임피던스)는 측정된 S-파라미터로부터 직접 결정되며, 이어서 두 결합 선에 대한 회로 모델 파라미터(R, L, C 및 G)를 도출한다. 엄밀한 장비 캘리브레이션 및 디임베딩(deembedding) 없이 기생 효과를 처리할 경우, 4포트 네트워크 S-파라미터 측정을 이용한 두 결합 선의 실험적 특성화는 기생 공진으로 인해 10 GHz 이상에서 물리적으로 모호한 데이터를 산출할 수 있는 반면, 제안된 기법은 광대역 주파수 범위에서 안정적이고 정확한 네트워크 파라미터를 결정할 수 있다. 제안 기법의 타당성을 추가로 뒷받침하기 위해, 3-D 수치 계산 및 저주파 정전용량 측정으로 얻은 데이터와 비교하였다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.