허영우 교수 연구실
기본 정보
연구 분야
프로젝트
논문
구성원
article|
·
인용수 12
·2024
Self-Assembled Monolayer-Functionalized NiO Hole Injection layer for Improved Charge Injection in Quantum Dot Light-Emitting Diodes
Hyo-Jun Lim, Thi Huong Thao Dang, Nayoon Lee, Sunwoo Jin, V.T. Vo, Joon‐Hyung Lee, Won Sik Shin, Byoung-Seong Jeong, Young-Woo Heo
IF 8.2 (2024) ACS Applied Materials & Interfaces
초록

, 그리고 최대 전류 효율 32.78 cd/A를 보였다. NiO 기반 QLED와 비교하면, 이러한 결과는 시동 전압을 약 1.5 V 감소시키고 EQE는 1.99배 증가, 휘도는 3.63배 증가시킨 것으로, 시동 전압, EQE 및 휘도에서 주목할 만한 향상이 있어 성능이 유의하게 향상되었음을 나타낸다. 또한 이들은 PEDOT:PSS 기반 QLED보다 더 높은 EQE와 휘도를 나타내었으며, 이는 Br-2PACz에 의한 에너지 준위 하향 이동이 정공 주입 장벽을 감소시키고 전도도를 증가시키며 전하 균형을 개선했기 때문일 수 있다. 특히 여기자 소광의 감소와 전기적 전도도의 증가는 (NiO+Br-2PACz) 기반 QLED의 전반적인 성능 향상에 크게 기여하였다. 본 논문은 무기 정공 주입층을 기능화하고 적용하기 위한 간단한 방법을 제안한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Materials scienceNon-blocking I/OQuantum dotOptoelectronicsPEDOT:PSSLuminanceLight-emitting diodeDiodeQuantum efficiencyQuenching (fluorescence)
타입
article
IF / 인용수
8.2 / 12
게재 연도
2024

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