허영우 교수 연구실
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도핑 및 단분자 기능화 기반 산화물 정공주입층/계면 공학

Interface engineering of oxide hole-injection layers via doping and SAM functionalization

연구 내용

산화니켈(NiO) 정공주입층에 마그네슘 도핑과 단분자막을 적용해 에너지 준위 정렬과 전하 수송을 제어하는 발광소자 계면 공학 연구

산화물 기반 정공주입층에서 도핑 농도와 계면 화학을 함께 제어하여 발광소자의 전하 주입 균형을 확보하는 연구를 수행합니다. NiO에 마그네슘을 도입해 밴드 정렬을 조정하고, 표면에 자기조립단분자층을 기능화하여 계면 결함과 여기자 소멸을 완화합니다. 또한 페로브스카이트 LED 구조에서는 브로마이드 계열 인터레이어로 계면 장벽을 조절하여 소자 성능을 안정화하는 방향을 포함합니다. 소재 합성-박막 형성-소자 평가까지 연계합니다.

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연구 흐름

연구는 2024년 중심으로 산화물 정공주입층의 계면 특성 향상에 집중되었습니다. 초기에는 NiO의 마그네슘 도핑을 통해 에너지 준위 정렬과 전하 주입 균형을 조절하는 접근을 확립했습니다. 이후에는 NiO 표면에 자기조립단분자층을 도입하여 계면 전하 이동과 여기자 소멸 특성을 함께 개선하는 방식으로 확장되었습니다. 동시에 페로브스카이트 LED 구조에서는 브로마이드 인터레이어를 이용해 계면 장벽과 주입 조건을 미세 조절하는 연구를 병행하여 발광소자 공정의 일관성을 강화했습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

  • QLED용 정공주입층 소재 설계
  • NiO 도핑 조성 최적화
  • SAM 계면 패시베이션 공정
  • 페로브스카이트 LED 계면 장벽 제어
  • 발광소자 전하주입 균형 개선
  • 진공열증착 기반 LED 구조 구현
  • 디스플레이 소자 신뢰성 평가 연계
  • 계면 결함 저감 박막 공정
  • 대면적 발광소자 공정 번들링
  • 광전소자용 산화물 인터레이어 모듈

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