개방 및 폐쇄 시스템에서 합성한 ZnO 나노입자를 이용하여 역구조 적색 양자점 발광다이오드(inverted red quantum dot light-emitting diodes, QLEDs)를 개발하였다. 개방 및 폐쇄 시스템에서, 티오디(아연) 아세트산 수화물(zinc acetate dihydrate)과 수산화칼륨(potassium hydroxide)을 사용하여 다양한 온도에서 Wurtzite 구조의 ZnO 나노입자를 합성하였다. 입자 크기는 합성 온도가 증가할수록 증가한다. 폐쇄 시스템에서 50, 60, 70 °C로 합성한 ZnO 나노입자의 평균 입자 크기는 각각 3.2, 4.0, 5.4 nm이다. 합성 과정 중 메탄올 용매가 증발하므로, 입자 크기는 폐쇄 시스템에 비해 개방 시스템에서 더 크게 나타났다. ZnO 나노입자에서 표면 결함 유도 발광은 합성 온도가 증가함에 따라 더 긴 파장으로 이동하며, 발광 강도는 감소하였다. 역구조 적색 QLED는 합성한 ZnO 나노입자를 전자 수송층으로 하여 제작하였다. 역구조 QLED의 구동 전압은 합성 온도가 증가할수록 감소하였다. 전류 효율은 개방 시스템에서 합성한 나노입자를 사용한 소자에 비해, 폐쇄 시스템에서 합성한 ZnO 나노입자를 사용한 역구조 적색 QLED에서 더 높았다. 폐쇄 시스템에서 60 °C에서 합성한 ZnO 나노입자를 사용한 소자는 전류 효율 5.8 cd/A로 최대값을 보였다.

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