Zn0.9Mg0.1O 나노입자(NPs)는 다양한 두께의 전자수송층(ETL)로 사용되었으며, 은행 내부에서 제작된 상부 방출 양자점 발광다이오드(TE-QLEDs)의 효율에 미치는 영향을 조사하였다. Zn0.9Mg0.1O NP ETL의 두께를 증가시키면 산소 공공(vacancies)이 감소하여, 그 결과 TE-QLED의 전도도와 전류밀도가 감소하였다. 이러한 전도도의 감소는 전자만으로 구성된 소자(electron-only device, EOD) 특성화를 통해 확인되었다. Zn0.9Mg0.1O NP ETL 두께 30 nm에서 수산화물 산소 농도는 최소에 도달하여, 양자점(QD)과 Zn0.9Mg0.1O NP ETL 계면에서의 여기자 소광을 최소화하고 QD의 전하 균형을 향상시켜 TEQLED 효율을 유의하게 개선하였다. 두께 30 nm의 Zn0.9Mg0.1O NP ETL을 갖는 TE-QLED는 최대 전류 효율 90.92 cd/A와 상부 외부 양자 효율 21.66%로 우수한 성능을 보였다. 이러한 결과는 여기자 소광을 억제하고 전하 균형을 최적화하여 향상된 TE-QLED 성능을 달성하는 데 있어 Zn0.9Mg0.1O NP ETL 두께의 결정적 역할을 강조한다.
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