Zn0.9Mg0.1O 나노입자(NP)를 전자 수송층(ETL)으로 사용하였으며, 두께를 달리하여 제작한 후, 은행 내부에서 제조된 상부 방출 양자점 발광다이오드(TE-QLED)의 효율에 미치는 영향을 조사하였다. Zn0.9Mg0.1O NP ETL의 두께를 증가시키면 산소 공공이 감소하여, 그 결과 TE-QLED의 도전성과 전류 밀도가 감소하였다. 이러한 도전성 감소는 전자만으로 구성된 소자(EOD) 특성 분석을 통해 확인되었다. Zn0.9Mg0.1O NP ETL 두께 30 nm에서 수산화물 산소 농도가 최소에 도달하여, 양자점(QD) 및 Zn0.9Mg0.1O NP ETL 계면에서의 여기자 소광을 최소화하고 이에 따라 QD의 전하 균형을 향상시켰으며, 그 결과 TEQLED 효율이 유의하게 향상되었다. 두께 30 nm의 Zn0.9Mg0.1O NP ETL을 갖는 TE-QLED는 최대 전류 효율 90.92 cd/A, 상부 외부 양자 효율 21.66%의 우수한 성능을 보였다. 이러한 결과는 여기자 소광 억제 및 전하 균형 최적화를 통해 향상된 TE-QLED 성능을 달성하는 데 있어 Zn0.9Mg0.1O NP ETL 두께의 핵심적 역할을 강조한다.
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