다수의 양자점 발광다이오드(QLED)는 전자 주입층(EIL)으로 ZnO 나노입자(NPs)를 사용한다. 그러나 ZnO NP EIL 재료를 사용하는 경우 종종 양자점(QD) 발광층(EML) 내에서 전하 불균형이 발생하며, 또한 QD EML과 ZnO NP EIL의 계면에서 엑시톤이 소광되어 문제가 된다. 이러한 과제를 극복하기 위해, ZnO NP EIL 위에 아르기닌(Arg) 박막간층(IL)을 도입하였다. Arg IL은 ZnO 나노입자의 일함수를 상승시켜 QD로의 전자 주입을 억제함으로써 QD 내 전하 균형을 개선하였다. 아울러 Arg IL의 고유한 절연성은 QD와 ZnO NP 사이의 직접 접촉을 방지하여 엑시톤 소광을 감소시켰고, 그 결과 소자의 효율이 향상되었다. ZnO NP EIL 위에 두께 20 nm의 Arg IL을 적용한 역구조 QLED(IQLED)는 IL이 없는 IQLED에 비해 전류 효율이 2.22배, 외부 양자 효율(EQE)이 2.28배 증가하였다. 또한 ZnO NP EIL 위에 두께 20 nm의 Arg IL을 적용한 IQLED는, ZnO NP에 두께 5 nm의 폴리에틸렌이미닌(polyethylenimine, PEI) IL을 적용한 IQLED에 비해 전류 효율이 1.34배, EQE가 1.36배 향상되었다.

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